印度开发出具有量子光电子学性质的材料 性能提高约30倍

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8月28日,据《印度教徒报》消息,二烯化钨和二烯化钼等材料光电子底部形态(光学和电子学的结合)受到广泛研究,其从前关键底部形态是光致发光,材料吸收光并以光谱形式重新发射。印度理工学院(马德拉斯分校)研究人员发现四种 法律法律妙招,通过在二维薄膜上滴注金纳米颗粒,可使二烯化钨的光电子性能提高约150倍。相关研究成果在《应用物理快报》发表。

半导体中电子能量地处带被称为价电子带。电子在某些带中时不必移动,某些某些 会促进传导。可能性受到从前输入的小能量刺激,电子就会被踢进所谓的传导带,使其离开从前位置,通过移动促进传导。当从前电子从价电子跃迁到传导带时,会留下从前叫做“空穴”的阴影。导电带中电子和价电子带中空穴可不都能不能结合在同去,形成四种 被称为激子的复合物体。硒化钨的光致发光某些某些 某些激子的结果。

激子形成有四种 法律法律妙招,四种 是电子和空穴自旋方向相反,另四种 是电子和空穴以相同方向排列。前者称为亮激子,后者称为暗激子。可能性自旋相反,形成亮激子的电子和空穴可不都能不能重新结合,并在某些过程中发出光量子。某些重组法律法律妙招不地处于暗激子中,可能性电子和空穴的自旋是平行的,角动量守恒定律阻碍它们重新组合。而且暗激子比亮激子存活寿命长。

暗激子需要组织组织结构影响来帮助电子和空穴重新结合,研究人员发现了某些组织组织结构影响。当将金纳米粒子投到单分子层二烯化钨下皮 时,亲戚有人发现暗激子与产生的下皮 场耦合,并重新组合发出光量子,暗激子在金纳米粒子的帮助下“变亮”。这是可能性等离子体效应,会产生面外电场,促进导电带电子的自旋翻转,从而使暗激子变亮。

光致发光底部形态可应用于各种器件中,如通信和计算中使用的量子发光二极管。这项研究最具挑战性的方面是某些材料在室温到1150k(约零下173度)之间的光致发光测量控制。